IT之家 11 月 1 日音问，字据 DigiTimes 报谈，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 显现，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中比特派风控，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个增多到 4 个，有望显着改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的跳跃地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，打算 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过增多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管增多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而种植性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关智商和运转速率。

bitpie钱包教程

此外，更多的纳米片不错更好地戒指电流，这有助于减少走电流比特派风控，从而缩小功耗。此外，纠正的电流戒指还意味着晶体管产生的热量更少，从而种植了功率成果。

IT之家此前报谈，三星还打算在 1.4nm 工艺中接收背部供电（BSPDN）技艺，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲，但于今仍未在行家限制内试验。

天然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技艺节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺技艺亦然数字越小越先进。

龙头最近10期2期出现在05及以下，8期出现在05以上，上期龙头16，去年同期龙头02，05及以下与05以上出号较均，本期参考03。

跟着半导体工艺微缩阶梯束缚地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也束缚缩窄，从而对互相产生打扰，而 BSPDN 技艺则不错克服这一限制，这是因为咱们不错支配晶圆后面来构建供电阶梯，以分隔电路和电源空间。

关系阅读：

]article_adlist-->

《三星打算 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电技艺》

告白声明：文内含有的对外跳转联络（包括不限于超联络、二维码、口令等神气），用于传递更多信息比特派风控，省俭甄选时间，遣散仅供参考，IT之家总共著作均包含本声明。

　　声明：新浪网独家稿件，未经授权辞谢转载。 -->