IT之家 11 月 1 日音讯，凭证 DigiTimes 报说念，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 线路比特派风控，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望昭着改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的越过地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，谋划 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管加多纳米片数目比特派风控，不错增强驱动电流，从而熏陶性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关才和洽开动速率。

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此外，更多的纳米片不错更好地适度电流比特派风控，这有助于减少走电流，从而裁减功耗。此外，校阅的电流适度还意味着晶体管产生的热量更少，从而熏陶了功率终端。

IT之家此前报说念，三星还谋划在 1.4nm 工艺中接受背部供电（BSPDN）时代，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲，但于今仍未在天下限度内捏行。

诚然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为时代节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺时代亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩道路束缚地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也束缚缩窄，从而对彼此产生搅扰，而 BSPDN 时代则不错克服这一兑现，这是因为咱们不错运用晶圆后面来构建供电道路，以分隔电路和电源空间。

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《三星谋划 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电时代》

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